MOCVD加熱器部件
金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積Metal Organic Chemical Vapor Deposition，即MOCVD，是制備混合半導(dǎo)體器件、金屬及金屬氧化物、金屬氮化物薄膜材料的一種芯片外延技術(shù)。在MOCVD系統(tǒng)中，晶體生長多在常壓或低壓狀態(tài)下，襯底溫度為500～1200℃。為了能夠生長出純凈、界面陡峭、一致性好的薄膜材料，MOCVD設(shè)備需要為化學(xué)反應(yīng)提供合適的環(huán)境。加熱系統(tǒng)是 MOCVD 設(shè)備的重要組成部分，它能否快速、均勻的加熱襯底，直接影響著薄膜沉積的質(zhì)量、厚度一致性，以及芯片的性能。
MOCVD加熱器的工況非?？量?，要求連續(xù)工作時間長，溫度高、熱流密度大和反復(fù)的升降溫。電阻片是加熱器的核心部分，在通以一定的電流后電阻片發(fā)熱，成為整個設(shè)備的熱源。用于放置襯底的石墨盤表面溫度為1350K的時候，電阻片的溫度高達(dá)2000K，升溫過程中電阻加熱器的溫度可以達(dá)到2500℃以上，所以選用的材料必須有熔點高、高溫強(qiáng)度好、化學(xué)穩(wěn)定性高等特性。
鎢、鉬、錸等難熔金屬材料具有耐高溫、低污染、優(yōu)異的耐蠕變性能、較高的尺寸穩(wěn)定性、膨脹系數(shù)低、可焊接性能等優(yōu)勢，故常用做MOCVD加熱器的加熱絲、隔熱屏、導(dǎo)電板等零部件。
MOCVD加熱器所需零件包括錸片、錸條、錸棒、鉬錸合金絲、鉬錸合金棒、鉬錸合金片、鉬錸合金箔、鎢錸熱電偶絲、鎢錸合金絲、鎢錸合金棒、鎢錸合金棒或其他鎢鉬訂制品。
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